FQD1N80TM
| 包装 | 卷带式 (TR) 切割胶带 (CT) Digi-Reel® |
| 零件状态 | 积极的 |
| 场效应晶体管类型 | N沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） |
| 漏源电压 (Vdss) | 800伏 |
| 电流 – 连续漏极 (Id) @ 25°C | 1A（Tc） |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10伏 |
| Rds On（最大值）@ Id、Vgs | 20欧姆@500mA，10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 10 V 时 7.2 nC |
| 电压门限（最大值） | ±30V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 195 pF @ 25 V |
| 场效应晶体管特性 | – |
| 功耗（最大） | 2.5瓦（Ta），45瓦（Tc） |
| 工作温度 | -55℃～150℃（结温） |
| 年级 | – |
| 资格 | – |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/箱体 | TO-252-3，DPAK（2 引脚 + 接片），SC-63 |
| 基础产品编号 | FQD1N80 |
| Stock | In Stock |